Шварц К., Экманис Ю., Диэлектрические материалы: радиационные процессы и радиационная стойкость.

1989, изд-во: Зинатне, город: Рига, стр. : 187 с., обложка: Издательский твердый переплет, формат: Обычный, состояние: Очень хорошее (погашен библ. штамп, след от наклейки кармашка). В настоящей работе предпринята попытка рассмотреть радиационные процессы, протекающие в диэлектрических материалах в области больших поглощённых доз ионизирующего излучения, при которых поглощённая на один атом энергия сравнима с энергией связи или существенно больше её. Главное внимание уделяется вторичным радиационным процессам — агрегации точечных дефектов с образованием макродефектов и продуктов радиолиза, которые существенно зависят как от поглощённой дозы, так и от мощности дозы и температуры облучения. На основе исследований щелочно-галоидных кристаллов предпринята попытка установить общие закономерности процессов образования радиационных макродефектов в области больших поглощённых доз. Разработанные при этом методология и модели применимы и к другим классам материалов. Радиационные эффекты при больших поглощённых дозах в оксидных материалах (MgO, Аl2О3, SiO2) рассмотрены на более описательном уровне, чем в щелочно-галоидных кристаллах. Приведённые в монографии данные можно использовать для поиска радиационно стойких материалов. Взаимосвязь радиационной и лучевой стойкости анализируется при рассмотрении лазерного повреждения (лучевой стойкости) материалов и стабильности лазеров на центрах окраски. Экологические проблемы затронуты при анализе радиационных процессов в хранилищах радиоактивных отходов.