Шретер Ю., Ребане Ю.,Зыков В., Сидоров В., Широкозонные полупроводники.
Серия: Новые разделы физики полупроводников.

2001, изд-во: Наука, город: СПб., стр. : 125 с., ил., обложка: Твердый издательский переплет, формат: Обычный, состояние: Очень хорошее (немного сбиты уголки, блок в отличном состоянии). В учебном пособии рассматриваются физические свойства широкозонных полупроводников - GaN, SiC и алмаза, технология изготовления эпитаксиальных пленок и структур на их основе и даются приборные приложения. Первая часть пособия посвящена бинарным и тройным широкозонным нитридам А(3) В(5), а последующие - другим широкозонным полупроводниковым материалам - карбиду кремния и алмазу. Успехи в технологии получения эпитаксиальных пленок GaN, InxGa(1-x)N и AlxGa(1-x)N заложили основы для широкого применения этих материалов в лазерной технике видимого и УФ-диапазонов, в светотехнике позволили заменить обычные лампы накаливания на твердотельные источники белого света, а в компьютерной технике - использовать оптические диски и полноцветные твердотельные дисплеи. В пособии подробно рассмотрены кристаллическая структура, особенности зонного спектра, электрические, оптические и упругие свойства нитридов GaN, AIN, InN и твердых растворов на их основе. Проанализированы физико-химические свойства материалов, определены условия синтеза и эпитаксиального роста пленок, описаны современные технологии получения пленок и тонкопленочных структур на основе нитридов III группы элементов периодической системы Менделеева. Приведен обзор основных приборных приложений материалов этой группы.