Киреев В.Ю., Столяров А.А., Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы.
СЕрия: Мир электроники.

2006, изд-во: Техносфера, город: Москва, стр. : 192 с., обложка: Издательский художественный переплет, формат: Обычный, состояние: Очень хорошее. Незначительные загрязнения верхней обложки. . Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессе ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные Электрофизические характеристики осаждаемы пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практике химическое осаждение пленок из газовой фазы.