Милнс А., Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.
Перевод с английского Пекаря Г.С., под редакцией Шейнкмана М.К.

1977, изд-во: Мир., город: Москва., стр. : 562 стр., илл., обложка: Твердый издательский переплет., формат: Немного увеличенный, состояние: Очень хорошее. На переднем форзаце у одной половины сверху срезана полоска бумаги. Вес 670 гр. . Монография А Милнса, известного американского ученого, специалиста в области физики полупроводников, содержит обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и различных проявлений примесных центров с глубокими уровнями в германии, кремнии и полупроводниках типа А3B5. Подробно рассмотрены различные неравновесные процессы в этих проводниках и p-n-переходах на их основе: механизмы захвата носителей примесными центрами при наличии электрического поля и в его отсутствие рекомбинация и прилипание носителей кинетика фототока и тока переключения диодов термостимулированная проводимость токи, ограниченные объемным зарядом и биполярная инженерия различного типа неустойчивости тока проводимость в примесной зоне.